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基于推拉力測(cè)試機(jī)的紅外芯片可靠性測(cè)試:實(shí)驗(yàn)方法及結(jié)果評(píng)估

來(lái)源:蘇州科準(zhǔn)測(cè)控有限公司   2025年07月31日 10:33  

隨著紅外探測(cè)技術(shù)在軍事、工業(yè)、醫(yī)療等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,紅外探測(cè)器芯片的可靠性問(wèn)題日益受到關(guān)注。作為核心傳感元件,紅外探測(cè)器芯片在復(fù)雜環(huán)境下的機(jī)械強(qiáng)度和連接可靠性直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的性能穩(wěn)定性。

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推拉力測(cè)試作為評(píng)估芯片鍵合強(qiáng)度和可靠性的重要手段,已成為紅外探測(cè)器芯片生產(chǎn)過(guò)程中重要的質(zhì)量控制環(huán)節(jié)。本文科準(zhǔn)測(cè)控小編將詳細(xì)介紹紅外探測(cè)器芯片可靠性測(cè)試的基本原理、相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、測(cè)試儀器(以Alpha W260推拉力測(cè)試機(jī)為例)以及標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試流程,為相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員提供全面的測(cè)試參考。

 

一、紅外探測(cè)器芯片可靠性測(cè)試原理

紅外探測(cè)器芯片可靠性測(cè)試中的推拉力測(cè)試主要評(píng)估以下幾方面的機(jī)械性能:

鍵合強(qiáng)度測(cè)試原理:通過(guò)施加垂直于芯片表面的推力或平行于鍵合面的拉力,測(cè)量使鍵合失效所需的最大力值。該力值反映了鍵合界面的機(jī)械強(qiáng)度。

焊球剪切測(cè)試:使用特定形狀的推刀以恒定速度推動(dòng)焊球,記錄剪切過(guò)程中力的變化,確定焊球與焊盤(pán)或基板間的結(jié)合強(qiáng)度。

引線(xiàn)拉力測(cè)試:通過(guò)鉤住引線(xiàn)并施加垂直拉力,測(cè)量引線(xiàn)與芯片焊盤(pán)或封裝體之間的結(jié)合強(qiáng)度。

失效模式分析:根據(jù)測(cè)試后樣品的破壞形態(tài)(如界面斷裂、焊料斷裂、基材斷裂等)判斷鍵合工藝的薄弱環(huán)節(jié)。

 

二、相關(guān)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

紅外探測(cè)器芯片推拉力測(cè)試需遵循以下國(guó)際和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn):

MIL-STD-883Method 2019(引線(xiàn)鍵合拉力測(cè)試)和Method 2031(焊球剪切測(cè)試)

JESD22-B116:焊球剪切測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

IPC/JEDEC-9702:倒裝芯片機(jī)械沖擊測(cè)試指南

GB/T 4937-2012:半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

GJB 548B-2005:微電子器件試驗(yàn)方法和程序

 

三、檢測(cè)設(shè)備

1、Alpha W260推拉力測(cè)試機(jī)

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Alpha W260推拉力測(cè)試機(jī)是專(zhuān)為微電子封裝可靠性測(cè)試設(shè)計(jì)的高精度設(shè)備,特別適合紅外探測(cè)器芯片的測(cè)試需求:

 

1、設(shè)備特點(diǎn)

高精度:全量程采用自主研發(fā)的高精度數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),確保測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。

功能性:支持多種測(cè)試模式,如晶片推力測(cè)試、金球推力測(cè)試、金線(xiàn)拉力測(cè)試以及剪切力測(cè)試等。

操作便捷:配備專(zhuān)用軟件,操作簡(jiǎn)單,支持多種數(shù)據(jù)輸出格式,能夠wan美匹配工廠(chǎng)的SPC網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。

2、多功能測(cè)試能力

支持拉力/剪切/推力測(cè)試

模塊化設(shè)計(jì)靈活配置

3、智能化操作

自動(dòng)數(shù)據(jù)采集

SPC統(tǒng)計(jì)分析

一鍵報(bào)告生成

4、安全可靠設(shè)計(jì)

獨(dú)立安全限位

自動(dòng)模組識(shí)別

防誤撞保護(hù)

5夾具系統(tǒng)

多種規(guī)格的剪切工具(適用于不同尺寸焊球)

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鉤型拉力夾具

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定制化夾具解決方案

 

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四、測(cè)試流程(以焊球剪切測(cè)試為例)

1. 樣品準(zhǔn)備

將紅外探測(cè)器芯片固定在測(cè)試平臺(tái)上

根據(jù)焊球尺寸選擇合適的推刀(通常推刀寬度為焊球直徑的1.5倍)

調(diào)整顯微鏡焦距,清晰觀(guān)察測(cè)試區(qū)域

2. 參數(shù)設(shè)置

設(shè)置測(cè)試速度為50-500μm/s(根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)要求)

定義剪切高度(通常為焊球高度的25%

設(shè)置觸發(fā)力(一般為0.01N

確定數(shù)據(jù)采樣率(≥1kHz

3. 測(cè)試執(zhí)行

使用微動(dòng)平臺(tái)精確定位推刀與焊球的相對(duì)位置

啟動(dòng)測(cè)試程序,推刀以恒定速度推動(dòng)焊球

系統(tǒng)自動(dòng)記錄剪切過(guò)程中的力-位移曲線(xiàn)

測(cè)試完成后,推刀自動(dòng)返回起始位置

4. 數(shù)據(jù)分析

從力-位移曲線(xiàn)獲取最大剪切力

計(jì)算單位面積的剪切強(qiáng)度(最大力/焊球截面積)

分析失效模式(界面分離、焊球剪切、基材破壞等)

生成測(cè)試報(bào)告,包括力值統(tǒng)計(jì)、CPK分析等

5. 結(jié)果判定

對(duì)比實(shí)測(cè)值與標(biāo)準(zhǔn)要求的最小強(qiáng)度值

統(tǒng)計(jì)合格率,評(píng)估工藝穩(wěn)定性

對(duì)異常失效樣品進(jìn)行進(jìn)一步分析(如SEM觀(guān)察斷面)

 

五、注意事項(xiàng)

環(huán)境控制:測(cè)試應(yīng)在潔凈度≤1000級(jí)的環(huán)境中進(jìn)行,溫度23±5℃,相對(duì)濕度40-60%RH

工具校準(zhǔn):定期使用標(biāo)準(zhǔn)砝碼校準(zhǔn)力傳感器,確保測(cè)量精度

樣品定位:確保推刀與焊球的接觸位置準(zhǔn)確,避免側(cè)向力影響

數(shù)據(jù)有效性:剔除明顯異常數(shù)據(jù)(如推刀滑移導(dǎo)致的測(cè)試異常)

安全操作:設(shè)置合理的力值上限,防止傳感器過(guò)載損壞

 

以上就是小編介紹的有關(guān)于紅外探測(cè)器芯片可靠性測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容了,希望可以給大家?guī)?lái)幫助。如果您還對(duì)紅外探測(cè)器芯片可靠性測(cè)試方法研究測(cè)試方法、測(cè)試報(bào)告和測(cè)試項(xiàng)目,推拉力測(cè)試機(jī)怎么使用視頻和圖解,使用步驟及注意事項(xiàng)、作業(yè)指導(dǎo)書(shū),原理、怎么校準(zhǔn)和使用方法視頻,推拉力測(cè)試儀操作規(guī)范、使用方法和測(cè)試視頻,焊接強(qiáng)度測(cè)試儀使用方法和鍵合拉力測(cè)試儀等問(wèn)題感興趣,歡迎關(guān)注我們,也可以給我們私信和留言。【科準(zhǔn)測(cè)控】小編將持續(xù)為大家分享推拉力測(cè)試機(jī)在鋰電池電阻、晶圓、硅晶片、IC半導(dǎo)體、BGA元件焊點(diǎn)、ALMP封裝、微電子封裝、LED封裝、TO封裝等領(lǐng)域應(yīng)用中可能遇到的問(wèn)題及解決方案。

 


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