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用吉時(shí)利創(chuàng)新測(cè)試平臺(tái)測(cè)試半導(dǎo)體參數(shù)

來(lái)源:蘇州東偉元電子有限公司   2014年07月24日 08:52  

關(guān)鍵字:測(cè)試平臺(tái)  吉時(shí)利  半導(dǎo)體工藝 

我目前研究的課題是NBTI,目前在使用4200進(jìn)行測(cè)試,請(qǐng)問使用使用4200zui快的測(cè)試時(shí)間可以到達(dá)多快?

A1:如果用4200做測(cè)試,它的zui快采樣周期應(yīng)該是大于10個(gè)毫秒,如果用ACS加2600,我們可以做到zui快100個(gè)微妙的測(cè)試。

 

Q2:芯片越來(lái)越小,以后的晶片測(cè)試將如何完成?

A2:當(dāng)芯片越來(lái)越小,對(duì)測(cè)試來(lái)說,會(huì)看到兩個(gè)趨勢(shì),脈沖和快速的測(cè)試,脈沖主要是應(yīng)對(duì)像SOI,High-K材料這樣新工藝,對(duì)于快速測(cè)試來(lái)說,我們可能要應(yīng)對(duì)NBTI或者是行進(jìn)間的擊穿這樣的現(xiàn)象。

 

Q3:請(qǐng)問有否關(guān)于Mosfet 的好的性能檢測(cè)方案?

A3:對(duì)于Mosfet來(lái)說,您可能需要一些手動(dòng)參數(shù)的系統(tǒng),吉時(shí)利4200是一個(gè)非常流行的好的解決方案,您可以通過4200配置若干個(gè)數(shù)字源表單元,就可以完成您的摩斯管的特定參數(shù)分析。

 

Q4:對(duì)于半導(dǎo)體器件壽命提前測(cè)試現(xiàn)今的主要手段是什么?

A4:目前zui可靠的手段是WLR,傳統(tǒng)的可靠性測(cè)試常常是在,把一個(gè)芯片分裝作成成產(chǎn)品之后再做測(cè)試,在這種情況下,如果您發(fā)現(xiàn)芯片有壽命問題,在整個(gè)過程中,您花費(fèi)的成本是非常大,我們現(xiàn)在往往會(huì)把可靠性測(cè)試往前提,就是說把它提到在芯片制造過程中,就可以做一些可靠性測(cè)試,對(duì)于像Mosfet,現(xiàn)在有一些標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試項(xiàng)目,像講義中提到過的NBTI等,這些都是一些非常標(biāo)準(zhǔn)的WLR測(cè)試項(xiàng)目,然后可以通過對(duì)這些項(xiàng)目進(jìn)行檢測(cè),就可以對(duì)半導(dǎo)體的壽命進(jìn)行提前預(yù)測(cè)。

 

Q5:stress 是由加的電流電壓的熱效應(yīng)引起的嗎?

A5:在可靠性測(cè)試中所謂的stress指的是加電壓或者是電流的偏壓,在時(shí)間上維持一個(gè)周期。由于stress會(huì)引起器件的很多變化,以HCI為例子,stress會(huì)引起器件的特性參數(shù)漂移,造成器件的損傷,或者有stress引起的物理或者是化學(xué)的效應(yīng),熱效應(yīng)其實(shí)不是一個(gè)zui主要的原因。

 

Q6:ACS 測(cè)試系統(tǒng)可以在高5度和低溫-30度的環(huán)境下測(cè)試嗎?測(cè)試數(shù)據(jù)準(zhǔn)確度如何?

A6:我看到的測(cè)試系統(tǒng),它能夠支持很高的溫度或者很低的溫度,通常情況下,我們會(huì)將我們的儀器置于溫度箱之外,就是說我們的測(cè)試器件,控制器,計(jì)算機(jī)都會(huì)放在外面,您可以把器件放在溫度箱里或者探針臺(tái)內(nèi)。

 

Q7:請(qǐng)問在測(cè)試精度為uA時(shí),測(cè)試的zui少時(shí)間為多少?

A7:如果您要做一個(gè)微安測(cè)試,您可以在100微妙內(nèi)完成。

 

Q8:我目前是4200的用戶,我對(duì)PUISE非常感興趣,請(qǐng)問4200的PIVzui高能夠輸出多大電壓脈沖?

A8:吉時(shí)利的PIV可以為客戶做到zui高72伏的電壓脈沖輸出

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