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IGBT器件的發(fā)展趨勢(shì)是減小體積和降低功耗，以節(jié)省能源和促進(jìn)環(huán)保。下一代功率器件將向低功耗、高速開(kāi)關(guān)、高EMC、高可靠性、智能化以及表面安裝等方面發(fā)展。這有賴于芯片自身的改善，包括結(jié)構(gòu)的改善、性能的改善以及采用新型的半導(dǎo)體材料。東芝電子亞洲有限公司半導(dǎo)體部工程師郭樹(shù)坤稱，Toshiba對(duì)其未來(lái)功率器件提出的目標(biāo)就是節(jié)省能源。該公司正在研制新一代功率器件IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)，通過(guò)注入少數(shù)載流子減小體電阻，并增加功率(高電壓/大電流)，其特性包括自保持功能和高速開(kāi)關(guān)，將廣泛應(yīng)用于大功率設(shè)備，如牽引機(jī)車(chē)、工業(yè)設(shè)備和功率控制系統(tǒng)。
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