模擬集成電路是在分立元件的模擬電路理論和數字集成電路工藝的基礎上發展起來的。 

在電路構成方面，模擬集成電路具有以下持點： 

(1)電路結構與元件參數具有對稱性 

盡管集成電路工藝制作的元件、器件的參數精度不高，但是相同元件、器件的制作工藝相同、當它們的結構相同且幾何尺寸相同時，它們的特性和參數就比較一致。因此，在模擬集成電路中住往采用結構對稱或元件參數彼此匹配的電路形式，利用參數補償的原理來提高電路的性能。 

(2)用有源器件代替無源器件 

由于集成化的晶體管占用的芯片面積小，參數也易于匹配，因此在模擬集成電路中常常用雙極型晶體管或場效應管等有源器件來代替電阻、電容等無源元件。 

(3)采用復合結構的電路 

由于復合結構電路的性能較佳而制作又不增加多少困難，因而在模擬集成電路中多采用諸如復合晶體管、共射—共基組合及共集—共基組合等復合結構電路。 

(4)外接少量分立元件 

由于目前集成電路工藝還不宜制作電感，大容量的電容以及阻值較小和阻值較大的電阻也難以集成，因此，模擬集成電路在應用時還需接部分電感、電阻和電容等元件。另外，某些模擬集成電路中往往需要在不同的應用條件下調整偏置，因此也需要外接部分分立元件。 (end)