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2025
07-212025
07-162025
07-07澤攸科技ZEM系列臺式掃描電鏡在高溫壓電陶瓷精修與相結構解析中的應用
壓電陶瓷作為機電耦合系統中的核心功能材料,通過其固有的正/逆壓電效應實現電能與機械能的雙向轉換,在航空航天作動器、核反應堆輻射環境、水下換能器等極端工況中具有重要應用。隨著工業系統的發展,對兼具高居里溫度(Tc≥350°C)和高壓電系數(d33500pC/N)的新一代壓電陶瓷需求日益迫切。傳統鋯鈦酸鉛(PZT)陶瓷雖因簡單的制備工藝和準同型相界(MPB)附近優異的壓電性能被廣泛應用,但其居里溫度通常低于380°C,實際工作溫度受熱退極化效應限制僅能達到Tc的一半(約200°C),難以滿足高溫應用2025
06-26澤攸科技ZEM系列臺式掃描電鏡在石墨烯-氮化碳復合材料表征中的關鍵應用
氮摻雜石墨烯(N-dopedgraphene)作為一種無金屬催化劑或金屬納米顆粒載體,在電催化、光催化及環境凈化等領域展現出巨大潛力。其獨特的電子結構和表面性質源于氮原子的引入,能夠顯著提升材料在氧還原反應(ORR)等關鍵電化學過程中的性能。目前常見的氮源如三聚氰胺(melamine)因其高達66.7%的氮含量被廣泛采用,而熱處理方法是制備氮摻雜石墨烯的主流技術。此外,石墨相氮化碳(g-C?N?)作為另一種氮化碳材料,因其半導體特性和化學穩定性,在光催化水分解和有機合成中備受關注。然而g-C?N2025
06-182025
06-132025
05-202025
05-152025
05-07利用澤攸科技ZEM系列臺式掃描電鏡分析金屬FDM工藝中燒結過程的微觀結構演變
薄壁金屬結構因其在航天和汽車工業中的廣泛應用而備受關注,尤其是在能量吸收裝置方面。通過優化單元胞的形狀和排列,這些結構能夠顯著提升沖擊衰減和能量吸收能力。近年來,隨著金屬增材制造(AM)技術的發展,尤其是金屬熔融沉積建模(FDM)技術的進步,復雜薄壁金屬結構的制造變得更加高效和靈活。金屬FDM技術通過打印、脫脂和燒結三個主要步驟實現復雜金屬結構的制造,其優勢在于避免了金屬熔化過程中可能出現的元素宏觀和微觀偏析缺陷,同時降低了制造成本并減少了打印難度。此外,由于金屬粉末被粘合劑包裹,該技術還有效避2025
04-02澤攸科技JS系列臺階儀在Sn基鈣鈦礦鐵電半導體薄膜厚度表征中的應用
鐵電半導體材料因其可切換的自發極化特性和非易失性存儲能力,對于開發新型低功耗電子器件和非易失性記憶體具有巨大的潛力。這些材料能夠通過外部電場來調控其宏觀極化特性,從而影響載流子傳輸性能。然而,要在同一薄膜材料中同時實現強大的鐵電性質和優異的半導體特性卻是一個巨大的挑戰。錫(Sn)基鈣鈦礦半導體近年來受到了廣泛關注,這主要歸因于它們的p型特性、較低的載流子有效質量以及高遷移率。但是,由于這類材料通常具有較高的載流子濃度,內部電場無法被有效屏蔽,導致鐵電極化減弱或消失,使得在Sn基鈣鈦礦中觀察到強鐵2025
03-272025
02-19利用澤攸科技ZEM20臺式掃描電鏡探究單/雙尺寸SiC顆粒對AZ91D鎂合金復合材料的影響
隨著全球節能減排和環保要求的日益提高,輕質、高強度的鎂合金材料因其優異的綜合性能而受到廣泛關注。鎂合金以其低密度、高比強度和良好的生物相容性等特點,在航空航天、汽車制造、電子通訊等領域展現出巨大的應用潛力。然而,純鎂的強度和硬度較低,限制了其在更廣泛領域的應用。為了提高鎂合金的性能,顆粒增強金屬基復合材料成為了研究的熱點。SiC顆粒因其熱膨脹系數小、耐磨性好、硬度高及抗氧化性強等特點,且不會與Mg形成穩定的化合物,被廣泛用于鎂合金的增強相。SiC顆粒與AZ91D鎂合金結合,不僅保持了鎂合金的輕質2025
01-102024
12-102024
10-152024
10-082024
10-012024
09-162024
09-132024
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