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VIL1000激光干涉光刻機

VIL1000激光干涉光刻機

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1、 可實現(xiàn)同一晶圓上不同納米結構的分區(qū)光刻;

2、 制作各種一維、二維納米圖案;

3、 最小線寬低于50nm

4、 與其他同類設備的功能對比圖如下:



電子束直寫

激光直寫

紫外光刻機

激光干涉光刻機

設備示例




代表廠商

德國的RaithVistec, 日本的JEOLElionix

海德堡和Raith

Eulitha

InterLitho

代表性產品型號

Raith

EBPG Plus

海德堡

DWL 66+

Eulitha

PhableR 100

VIL1000


主要用途

高分辨率掩模版制造和納米結構的制備

對分辨率要求不高的掩模版制造和納米結構制備

分辨率適中的納米結構制備

大面積、低成本、高通量制備高分辨率周期性納米結構,用于微納光學、生物芯片等新興應用


刻寫的最小物理線寬

<10nm

~300nm

60nm

40nm

價格和維護成本

較低

自動化程度

全自動

全自動

部分手動

全自動

設備效率

需要掩模

特征尺寸調制難度

難,樣品需要重新刻寫

難,樣品需要重新刻寫

難,需要重新刻寫模板

容易,幾分鐘可實現(xiàn)






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