詳情介紹：

三溫區PECVD氣相沉積石墨烯制備由等離子發生器，三溫區管式爐、射頻電源、真空系統組成。等離子增強CVD系統為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD）， 該PECVD石墨烯薄膜制備設備借助13.56Mhz的射頻輸出等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在真空腔體內形成等離子體，利用等離子的強化學活性，改善反應條件，利用等離子體的活性來促進反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。

在聚合物、陶瓷等基體材料中加入石墨烯可以顯著提高材料的機械性能、熱性能等。三溫區 PECVD 制備的石墨烯可以更好地控制其在基體材料中的分散性和界面結合強度。例如，在環氧樹脂復合材料中，將 PECVD 制備的石墨烯均勻分散后，石墨烯與環氧樹脂之間能夠形成良好的界面相互作用，從而提高復合材料的拉伸強度、硬度和熱穩定性，這種復合材料可用于航空航天、汽車制造等領域，用于制造高性能的結構部件。

三溫區PECVD應用范圍：

等離子增強CVD系統可以用于：石墨烯制備、硫化物制備、納米材料制備等多種試驗場所。可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應用于刀具、高精模具、硬質涂層、高duan裝飾等領域

三溫區PECVD技術參數: