技術參數：
| 基本參數 | 蔡司 GeminiSEM 560 | 蔡司 GeminiSEM 460 | 蔡司 GeminiSEM 360 |
| 分辨率 * | 0.4 nm @ 30 kV (STEM) | 0.6 nm @ 30 kV (STEM) | 0.6 nm @ 30 kV (STEM) |
| 0.4 nm @ 15 kV/ DCV** | 0.5 nm @ 15 kV/DCV** | 0.5 nm @ 15 kV/ DCV** | |
| 0.7 nm @ 1 kV TD | 1.0 nm @ 1 kV/500 VTD | 1.0 nm @ 1 kV TD | |
| 0.7 nm @ 1 kV/DCV** | 0.9 nm @ 1 kV/ DCV** | 1.0 nm @ 1 kV/DCV** | |
| 1.0 nm @ 500 v | 1.5 nm @ 200 v | — | |
| 分析分辨率 | — | 2.0 nm @ 15 kv, 5 nA, WD=8.5 mm | — |
| Inlens BSE 分辨率 | 1.0 nm @ 1 kv | 1.2 nm @ 1 kv | 1.2 nm @ 1 kv |
| NanoVP 模式分辨率(30 Pa) | 1.4 nm @ 3 kV | 1.4 nm @ 3 kv | 1.4 nm @ 3 kV |
| 1.0 nm @ 15 kv | 1.0 nm @ 15 kv | 1.0 nm @ 15 kv | |
| 加速電壓 | 0.02-30 kV | ||
| 探針束流 | 3 pA - 20 nA (100 nA 配置可選) | 3 pA - 40 nA (100 nA 或 300 nA 配置可選) | 3 pA - 20 nA (100 nA 配置可選) |
| 高分辨率模式最大觀察視野 | 在1kV下1.6mm，WD=7mm | 在5kV下5mm，WD=8.5 mm | 在5kV下5mm，WD=8.5 mm |
| 概覽模式最大觀察視野 | 在15 kV下5.6 mm, WD=8.5 mm | ||
| 130 mm，最大 WD(約 50 mm) | |||
| 放大倍率 | 1-2000000 | 8-2000000 | 8-2000000 |
| *最終安裝完成后，在1kV 和 15 kV 高真空條件下未去卷積進行系統驗收測試時獲得的分辨率 **數字分辨率(去卷積) | |||
性能特點：
探索蔡司Gemini電子光學系統的三種設計：
GeminiSEM 360
盡享表面敏感成像的優勢并在低電壓或高探針電流下實現信息收集。了解Inlens探測器、NanoVP、關聯式成像查看或人工智能支持的圖像分割優勢。
√高樣品靈活性
√出色的用戶體驗
√杰出的拓展能力
GeminiSEM 460
可從低電流-低電壓工作條件無縫切換到高電流-高電壓工作條件。通過原位加熱和拉伸實驗室來拓展您的應用范圍。充分發揮其各項優勢，如共面式EDS/EBSD配置、EDS數據的無陰影面分布和快速收集4000點/秒的EBSD圖。
√兼顧高分辨率和高電流
√定制自動化工作流
√為您帶來更多可能性
GeminiSEM 560
探索表面成像新標準：Gemini 3鏡筒搭載全新的電子光學引擎Smart Autopilot，使樣品能夠在低于1 kV、分辨率低于1 nm的條件下進行無漏磁成像，且無需樣品臺偏壓或單色器，可在您的工作條件下達到理想效果。
√表面成像的新標準
√整合專業知識
√體驗出色的襯度
應用范圍：
材料科學中的應用
無論是在大面積區域內還是在亞納米分辨率下，均可輕松對真實世界樣品進行成像和分析。
探索來自納米科學、工程和能源材料或仿生材料、聚合物和催化劑等領域的應用實例。
了解GeminiSEM如何幫助您全面表征樣品。
工業用顯微鏡解決方案
力學、光學或電子組件的失效分析
斷裂分析和金相研究
表面、微觀結構和器件表征
成分和相分布
確定雜質和夾雜物
電子元件和半導體中的應用
構造分析和基準分析
被動電壓襯度
亞表面分析
探針測量電學性能
TEM選址
生命科學中的應用
拓撲結構的表征
對敏感、非導電、除氣或低襯度樣品進行成像
細胞、組織等超微結構的高分辨率成像
進行超大面積成像，如連續切片或切面成像
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