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北京瑞科中儀科技有限公司

簡介： 簡要描述：脈沖激光沉積樣品臺(tái)是一種物理氣相沉積技術(shù)，用于在襯底上生長高質(zhì)量的薄膜。脈沖激光沉積系統(tǒng)中的樣品臺(tái)是一個(gè)關(guān)鍵組件，用于支撐和加熱待沉積的樣品......

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北京瑞科中儀科技有限公司

簡介： 簡要描述：脈沖激光沉積靶臺(tái)的設(shè)計(jì)和應(yīng)用對(duì)于脈沖激光沉積系統(tǒng)的性能和實(shí)驗(yàn)結(jié)果具有重要影響。通過綜合考慮穩(wěn)定性、熱隔離、靈活性、靶材均勻性、冷卻機(jī)制以及靶......

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北京瑞科中儀科技有限公司

簡介： 簡要描述：脈沖激光沉積系統(tǒng)激光光路是一個(gè)高度復(fù)雜和精密的系統(tǒng)，需要各個(gè)部分的緊密配合和精確控制，才能制備出高質(zhì)量的薄膜。同時(shí)，隨著科技的發(fā)展，脈沖激光......

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北京瑞科中儀科技有限公司

簡介： 簡要描述：單腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)是一種的材料制備技術(shù)，它利用脈沖激光的高能量密度來蒸發(fā)和電離靶材上的物質(zhì)，并在基底上沉積形成各種物質(zhì)薄膜。這種系統(tǒng)通常......

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北京瑞科中儀科技有限公司

簡介： 簡要描述：雙腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)（DualChamberPulsedLaserDepositionSystem）是一種的薄膜制備技術(shù)，它結(jié)合了脈沖激光沉積（PLD）技術(shù)和雙腔體設(shè)計(jì)的優(yōu)勢。這......

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簡介： 簡要描述：電漿原子層沉積設(shè)備是一種基于常規(guī)ALD的方法，其利用電漿作為裂化前驅(qū)物材料的條件，而不是僅依靠來自加熱基板的熱能。......

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簡介： 簡要描述：原子層沉積設(shè)備為一種氣相化學(xué)沉積技術(shù)。大多數(shù)的ALD反應(yīng)，將使用兩種化學(xué)物質(zhì)稱為前驅(qū)物。這些前驅(qū)物以連續(xù)且自限的方式與材料表面進(jìn)行反應(yīng)。......

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簡介： 簡要描述：原子層沉積系統(tǒng)是基于順序使用氣相化學(xué)過程的最重要技術(shù)之一；它可以被視為一種特殊類型的化學(xué)氣相沉積（CVD）。多數(shù)ALD反應(yīng)使用兩種或更多種化學(xué)物質(zhì)......