珀金埃爾默企業(yè)管理（上海）有限公司
使用單顆粒 ICP-MS 在反應(yīng)模式下分析SiO2納米顆粒
檢測樣品：SiO2納米顆粒
檢測項目：測量和表征
方案概述：本工作將討論在反應(yīng)模式下，通過 SP-ICP-MS 檢測、測量和表征 SiO2 納米顆粒的能力。
隨著納米技術(shù)的發(fā)展，納米顆粒在各類產(chǎn)品和工藝中得到了廣泛應(yīng)用，人們對納米顆粒的表征要求也越來越高。
針對各類產(chǎn)品和工藝，人們制造且應(yīng)用了不同成分的納米顆粒，如油漆、材料的強化、半導(dǎo)體工藝中的精細拋光，以及對藥品和食品的除濕，防止其受潮。二氧化硅（SiO2）納米顆粒是日本第二大國產(chǎn)納米材料，僅次于炭黑。1
使用 ICP-MS 測量硅（Si）富有挑戰(zhàn)性。等離子體中形成的 14N2+和 12C16O+ 多原子離子，與豐度最高的 Si 同位素（28Si ≈ 92 %豐度）的 m/z 相同。因此，當(dāng)多原子離子未被去除時（標(biāo)準(zhǔn)模式下），m/z28 處的背景等效濃度非常高。它抑制了低水平 Si 的測定，讓 SiO2 納米顆粒的檢測變得更加困難。此外，Si 的電離勢相對較高，其電離也更具挑戰(zhàn)性，導(dǎo)致其強度低于其它易電離的元素，如 Na。
然而，如果能提高信背比（S/B），就有可能檢測到更小的 SiO2 納米顆粒。在之前的應(yīng)用報告中，2 我們介紹過 100 nm SiO2 納米顆粒標(biāo)準(zhǔn)品可以使用 SP-ICP-MS 進行分析，且無需去除干擾（標(biāo)準(zhǔn)模式 下）。然而，如果能在反應(yīng)模式下去除干擾，預(yù)期能精準(zhǔn)測量更小的 SiO2 納米顆粒。
本工作將討論在反應(yīng)模式下，通過 SP-ICP-MS 檢測、測量和表征 SiO2 納米顆粒的能力。
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