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邁可諾技術有限公司
主營產品： 美國Laurell勻膠機,WS1000濕法刻蝕機,Cargille光學凝膠,EDC-650顯影機,NOVASCAN紫外臭氧清洗機 |
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閱讀：624 發布時間：2021/02/01
光刻是通過光照射投影的方法將掩模上的大規模集成電路器件的結構圖形刻在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發生化學反應，從而生成電路圖。利用旋涂技術，將光刻膠均勻涂布在硅片表面
通過掩模曝光后，曝光部分的光刻膠會發生化學反應，大的光刻膠分子分解成較小的分子。下一步顯影，將硅片浸入有機溶劑中以除去已曝光光刻膠區域，溶劑僅溶解在曝光過程中產生的小分子，后使用兩種方法將圖案轉移到硅片上。一種方法是蝕刻，將硅片從蝕刻后未涂覆光刻膠的圖案區域化學去除，去除剩余的光刻膠以揭示蝕刻到硅片表面的圖案。另一種方法是剝離，其中在整個硅片上沉積金屬層，然后去除光刻膠，使金屬與之成為wei一的區域。金屬涂層是所需的圖案，其中在顯影步驟中先前已除去了光刻膠。
