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  • 硅片晶圓清洗方式

    半導體器件生產中硅片須經嚴格清洗。微量污染也會導致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質,包括有機物和無機物。這些雜質有的以原子狀態或離子狀態,有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機污染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等,嚴重影響少數載流子壽命和表面電導;堿金屬如鈉等,引起嚴重漏電;顆粒污染包括硅渣、塵埃、細菌、微生物、有機膠體纖維等,會導致各種缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化學清洗兩種。物理清洗物理清洗有三種
  • 硅片微電子技術領域名詞

    在米粒大的硅片上,已能集成16萬個晶體管,這是科學技術進步的又一個里程碑。地殼中含量達25.8%的硅元素,為單晶硅的生產提供了取之不盡的源泉。由于硅元素是地殼中儲量的元素之一,對太陽能電池這樣注定要進入大規模市場(massmarket)的產品而言,儲量的優勢也是硅成為光伏主要材料的原因之一應用硅片制成的芯片是有名的“神算子”,有著驚人的運算能力。無論多么復雜的數學問題、物理問題和工程問題,也無論計算的工作量有多大,工作人員只要通過計算機鍵盤把問題告訴它,并下達解題的思路和指令,計算機就能在極短的
  • 熱電偶原理

    熱電偶是一對兩端連接的金屬線,當兩端觸點之間產生溫差時,在這個閉合電路中就會產生熱電動勢,使電路中產生電流。該熱電動勢的大小和極性由兩端的溫度和兩根金屬線的組合決定,不受金屬線的粗細或長度的影響。因此,可以通過預先知道特定熱電偶在每個溫度下的熱電動勢來測量溫度。特征與傳統熱電偶相比,AEROPAK具有以下特點。1.應用范圍廣泛小外徑使您可以測量小物體的溫度。此外,鞘狀結構使其能夠承受高溫高壓,可在-200至1260攝氏度的寬溫度范圍內使用。2.高響應能力外徑較小的熱容較小,因此對溫度變化的反應更
  • 芯片廠溫濕度超標會造成什么嚴重的后果

    一、高溫高濕環境對芯片的電性能影響在高溫高濕環境下,芯片的電性能往往會發生不可逆性變化,主要表現為電阻增加、電容值下降、特性漂移等。研究表明,這是由于濕度導致表面吸附層的變化,同時溫度還會激發材料中的缺陷,導致芯片電性能損失。二、高溫高濕環境對芯片的化學反應影響在高溫高濕環境下,芯片的化學反應也會加劇,包括氧化、腐蝕等。在此情況下,金屬元件表面水分子的捕捉量大大增加,加速了金屬表面的腐蝕。同時,氧化也會導致芯片的性能下降,造成器件失效。三、高溫高濕環境對芯片穩定性的影響芯片設計時一般考慮一定范圍
  • 碳化硅的應用

    碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中,碳化硅為應用泛、的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。發展歷史碳化硅是由美國人艾奇遜在1891年電熔金剛石實驗時,在實驗室偶然發現的一種碳化物,當時誤認為是金剛
  • 今日分享CCS圖像處理光源半球形HPD2-150SW

    玉崎新品出售質保1年,售后無憂LED閃光燈「閃光發光燈」,瞬間最大照度可達700萬lx。Line高速化貢獻、置換氙氣閃光燈,高能力閃光LED照明。發光時間細化調整,攝像頭的快門正確的配合進行發光照射。LDR2系列環形光源采用柔性基板,可創造出任意角度,從高密度分布的LED處,將直射光向中心部集中進行照射。SQRSeries(直射光)平板LED垂直裝配,直射光中心部進行照射的SQR-56系列,使用小型LED的小型集光照明SQR-TP系列進行排列。LED發光顏色白色的相關色溫6,500K典型值外形尺
  • 感謝江蘇先科半導體材料選擇我司日本代理品牌SEN紫外線洗浄改質裝置

    先科主要致力于電子半導體材料,深冷復合材料以及塑料助劑材料研發和生產通過多種方式參與到集成電路(晶圓制造及封裝)、平板顯示(包含LCD及OLED)等電子制造產業鏈各個環節。紫外線洗浄改質裝置是運用短波長紫外線進行表面處理、干式清洗的效果而作的試驗機利用紫外線(UV)的表面處理方法,使用化學溶液作為光敏劑,但基本上都是干法工藝,可以在大氣中處理,沒有經過特殊改性,質量和清潔效果良好。改性直接提高固體表面的粘合強度,而清洗則通過去除表面形成軟粘合層的有機污染膜,間接有助于提高粘合強度并穩定質量。主要
  • UV照射實驗如何在光照模擬倉內獲得高照度環境?

    一、選用適當的UV光源選擇UV光源是關鍵,不同的應用需要不同波長和強度的UV光源。選定的UV光源能夠提供所需的UV波長范圍,有些應用需要UV-A波長范圍(320400納米),有的能需要UV-B(280-320納米)或UV_C(100-280納米)。根據應用需求,確保UV光源提供足夠高的照射強度。例如為了實現高照度環境,某科研單位采用了SEN日森UV清洗機PM907B-6高強度紫外燈SUV-WCUS-75-GYB作為光源。該紫外燈具有較高的發光效率和輻射強度,能夠輸出高能量的UV-_A光譜,波譜準
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