半導體行業的有害氣體排放標準主要包括以下幾個方面：
大氣污染物排放限值：對于現有的污染源，自2022年1月1日起執行新的排放限值；對于新的污染源，則自2022年2月1日起執行2。
揮發性有機物（VOCs）處理設施的低處理效率：對于VOCs排放速率大于h88%的設施，需達到低處理效率的要求2。
全氟化物（PFCs）排放削減計劃：為了減少PFCs排放對環境的影響，集成電路制造企業應制定PFCs排放的年削減計劃，并通過優化工藝、原料替代、循環利用、污染治理等措施來減少PFCs的排放2。
排氣筒高度要求：排氣筒高度不應低于15米，并且應高出周圍200米半徑范圍內的建筑物至少5米以上。如果排氣筒高度無法達到這一要求，則應按照其高度對應的排放速率標準值嚴格50%執行2。
等效排氣筒的計算方法：對于排放相同污染物的排氣筒，如果它們之間的距離小于其幾何高度之和，則應合并視為一根等效排氣筒。如果有三根以上的近距離排氣筒且排放同一種污染物時，應從前兩根的等效排氣筒開始，依次與第三、四根排氣筒取等效值2。
內插法計算排放速率：如果某排氣筒的高度處于標準列出的兩個值之間，其執行的最高允許排放速率可以通過內插法計算得出。當排氣筒高度大于標準列出的最大值（30米）時，應按照最大排氣筒高度對應的最高允許排放速率執行2。
監測采樣點設置：污水采樣點位設置應符合HJ/T91的規定，在排放口應設置排污口標志、污水水量計量裝置。廢水監測采樣方案設計應符合GB/T12997的規定。廢氣排氣筒中氣態污染物監測的采樣點數目及采樣點位置的設置，按GB/T16157執行2。
采樣時間和頻次：排氣筒中廢氣樣品采集（不包括氨的排放速率監測）以連續1小時的采樣獲取平均值；或在1小時內，以等時間間隔采集4個樣品，并計平均值。特殊情況下廢氣的采樣時間和頻次假設某排氣筒的排放為間斷性排放，排放時間小于1小時，應在排放時段內實行連續采樣，或在排放時段內以等時間間隔采樣2-4個樣品，并計平均值2。
分析方法：污染物的分析方法按表5和表6執行2。
請注意，這些標準可能會隨著時間和地區的不同而有所變化。因此，在實際操作中，請務必查閱最新的文件以獲取最準確的信息
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