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等離子表面處理中的工藝氣體如何選擇？2024/08/27

等離子清洗機常用的工藝氣體有氧氣、氬氣、氮氣、壓縮空氣、二氧化碳、氫氣、四氟化碳等。它是將氣體電離產(chǎn)生等離子體對工件進行表面處理,無論是進行清洗還是表面活化,為達到最佳的處理效果會選用不同的工藝氣體,那么等離子清洗機的常用工藝氣體又該如何選擇呢?1.氧氣氧氣是等離子清洗常用的活性氣體,屬于物理+化學的處理方式,電離后產(chǎn)生的離子體能夠對表面進行物理轟擊,形成粗糙表面。同時高活性的氧離子能夠與被斷鍵后的分子鏈發(fā)生化學反應形成活性基團的親水表面,達到表面活化的目的;被斷鍵后的有機污染物的元素會與高活性

在鈣鈦礦太陽能電池器件中用作空穴傳輸層和其他不同鈣鈦礦層的材料有哪些？2024/08/26

空·穴·傳·輸·層.201Spiro-OMeTADSpiro-OMeTAD是PSC中常用的空穴傳輸層之一。它定期生產(chǎn)高效PSC，并用于當前的世界器件8。Spiro-OMeTAD可以進行純溶液處理，沒有退火步驟，這意味著它可以在低溫下輕松處理。事實上，Spiro-OMeTADHTL已被證明與大規(guī)模鈣鈦礦生產(chǎn)兼容，DiGiacomo等人創(chuàng)建了超過10%PCE的15cm2的器件12，Kim等人的研究表明，采用卷到卷工藝創(chuàng)建的Spiro-OMeTAD器件的PCE高達13.8%13。然而，Spiro-OM

MC方案｜太陽光模擬器2024/08/26

太陽光模擬器01太陽輻射的基礎知識太陽的表面溫度約為5800K，這意味著太陽輻射的電磁頻譜與5800K的黑體相似，但它包含了精細的結構，這是由于太陽外圍的冷氣體吸收(Fraunhofer線)。當太陽與地球相距1個天文單位(地球-太陽平均距離為149,597,890km)時，地球外層大氣的太陽輻照度為1360Wm-2。這個值稱為太陽常數(shù)，是整個電磁光譜的總體輻照度。圖1顯示了地球大氣層外太陽輻射的電磁光譜，所示的范圍為200—2500nm，包括到達地球的總輻照度的96.3%，其余3.7%大部分為較

美國Tergeo-EM電鏡 等離子清洗機2023/04/10

美國Tergeo系列臺式等離子清洗機為實驗室、研發(fā)和小規(guī)模生產(chǎn)部門提供性價比高的小型等離子清洗設備。Tergeo-EM等離子清洗機是為SEM/TEM樣品清洗應用而設計。它取代了標準Tergeo等離子清洗機中的石英窗，采用不銹鋼適配器，可放入兩個不同品牌的TEM樣品桿，可將SEM樣品架放置在內部石英板上進行清洗。特點：1）雙等離子源設計可滿足不同樣品的要求。間接模式足夠溫和，可以處理3nm超薄多孔碳網(wǎng)格。直接模式可以足夠強，可以去除超過幾微米厚的有機污染層。直接/浸入式清洗模式在樣品室中產(chǎn)生等離子

波導樹脂材料——用于光波導器件和光通信中光學薄膜應用2023/04/10

單模波導樹脂ZPU12,13-RI和LFR系列光活性UV可固化樹脂基于全氟丙烯酸酯。它們設計用于光波導器件和光通信中使用的光學薄膜的應用。這些涂料樹脂具有優(yōu)異的特性，例如低光學損失，低雙折射和優(yōu)異的環(huán)境穩(wěn)定性。通過與標準聚合物溶液共混以滿足各種波導結構中的使用需求，可以輕松實現(xiàn)對折射率的精確和連續(xù)控制。為了獲得最佳的薄膜質量，應在紫外線照射期間建議使用氮氣環(huán)境。產(chǎn)品規(guī)格型號-ExguideLFR-RI系列-ExguideZPU12,13-RI系列特征-UV固化型-低光損耗-環(huán)境穩(wěn)定性-可控折射率

MC熱點｜半導體制程技術進步的“燃料”——光刻膠2022/11/10

據(jù)第三方機構智研咨詢統(tǒng)計，至2022年quanqiu光刻膠市場規(guī)模將超過100億美元。光刻膠按應用領域分類，可分為PCB光刻膠、顯示面板光刻膠、半導體光刻膠及其他光刻膠。quanqiu市場上不同種類光刻膠的市場結構較為均衡，具體占比可以如下圖所示。據(jù)智研咨詢的數(shù)據(jù)顯示，受益于半導體、顯示面板、PCB產(chǎn)業(yè)東移的趨勢，2019年中國光刻膠市場本土企業(yè)銷售規(guī)模約70億元，quanqiu占比約10%，發(fā)展空間巨大。目前，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示、半導體用光刻膠供應量占比極低。中國本土

MC應用｜鋰電池材料粉末壓實密度測量2022/10/10

鋰離子動力電池在制作過程中，壓實密度對電池性能有較大的影響。通過實驗證明，壓實密度與片比容量，效率，內阻，以及電池循環(huán)性能有密切的關系。找出*佳壓實密度對電池設計很重要。一般來說，壓實密度越大，電池的容量就能做的越高，所以壓實密度也被看做材料能量密度的參考指標之一。壓實密度不光和顆粒的大小、密度有關系，還和粒子的級配有關系，壓實密度大的一般都有很好的粒子正態(tài)分布。可以認為，工藝條件一定的條件下，壓實密度越大，電池的容量越高。合適的正極壓實密度可以增大電池的放電容量，減小內阻，減小極化損失，延長電

AFM探針應該如何清洗呢？2022/07/27

目前，越來越多的原子力顯微鏡被引入到各項研究中，但是相信很多科研人員會發(fā)現(xiàn)，做了幾次樣品后，針尖或者懸臂梁總會有東西粘附上去了，圖像質量和原來的形貌出入太大，沒有多少細節(jié)，甚至出現(xiàn)雙針尖現(xiàn)象，這個時候，被污染的針尖已經(jīng)嚴重影響到實驗。而AFM探針針尖應該怎樣清洗才合適呢，這個問題一直困擾著科研人員。粒子探針一般采用的是紫外臭氧清洗技術來清洗有機物，紫外臭氧技術*是光子輸出，對探針表面不會造成任何損傷，是一種溫和的清洗方法。PSD和PSDP系列紫外臭氧系統(tǒng)通過產(chǎn)生185nm和254nm高強度UV光

如何快速準確地測定光刻膠的對比度曲線？2022/07/27

納米制造使用光刻工藝(193nm，EUV，EBL等)涉及廣泛的材料、技術和相關的處理步驟，以便生產(chǎn)明確的納米結構。光刻膠的光刻對比曲線是工藝優(yōu)化的參數(shù)之一。光致抗蝕劑的對比度曲線是顯影后剩余的抗蝕劑膜厚度，作為對數(shù)繪制的曝光劑量的函數(shù)[1]。測量方法:在本篇應用案例中，使用EBPG-5000+電子束工具以100千電子伏的速度在不同的曝光劑量下對負性抗蝕劑進行曝光，生成100×100μm正方形的陣列，每個正方形對應不同的曝光劑量。在顯影步驟之后，使用FR-μ探針顯微光譜儀工具在每個正方形上測量剩余

MC方案｜如何精確快速無損測量多層鈣鈦礦薄膜厚度？2022/07/27

鈣鈦礦廣泛用于太陽能電池的開發(fā)。由于這些類型的太陽能電池具有良好的光伏性能，因此對它們進行了系統(tǒng)的研究。鈣鈦礦薄膜的厚度和形態(tài)是影響太陽能電池性能的重要因素。人們發(fā)現(xiàn)，特別當鈣鈦礦的厚度小于400nm時，鈣鈦礦太陽能電池的效率很大程度上取決于薄膜厚度；而當鈣鈦礦的厚度大于400nm時，效率則很大程度上取決于鈣鈦礦層的薄膜形態(tài)。在本篇方案說明中，我們使用FR-pRoVIS/NIR測量鈣鈦礦薄膜的厚度。FR-pRoVIS/NIR測量方法：用于表征的樣品是兩種不同厚度的CH3NH3PbBr3鈣鈦礦薄膜

MC應用｜如何實現(xiàn)納米級清洗？2022/07/27

具有可控和可調節(jié)表面化學性質的清潔表面對于改善材料的界面，生物和電子性能，以獲得*佳的設備和結構性能至關重要。等離子體表面處理可去除納米級有機污染物，并在不影響整體材料的情況下改變表面化學性質。等離子清洗的好處等離子體清潔是通過化學反應（O2或空氣等離子體）或物理消融（Ar等離子體）去除有機污染物。等離子體處理還在表面上引入了化學官能團（羰基，羧基，羥基），使大多數(shù)表面具有親水性，水接觸角的減小和潤濕性的提高。清潔且親水的表面通常對于促進附著力和增強與其他表面的粘合至關重要。此外，血漿可用于消毒

MEMS應用中懸浮活性硅膜厚度測量2022/07/27

簡介硅基底的傳感器因其高性能、低成本和小尺寸而廣泛應用于不同的MEMS微機電系統(tǒng)。懸浮在圖案上的硅膜或基于SOI的傳感器上的活性硅層的厚度對于控制最終平臺的性能至關重要[1]。在這里，我們已經(jīng)在一個MEMS微機電系統(tǒng)壓力傳感器上測量了硅薄膜厚度，使用的是孔徑為250μm的FR-μProbe，該工具安裝在一個徠卡分模光學顯微鏡上。使用10倍物鏡進行測量，該物鏡與選定的孔徑大小一起對應于25μm的光斑大小(測量區(qū)域)。使用內部光源將FR-μProbe安裝在光學顯微鏡上測量方法獲得的典型實驗反射光譜(

Harrick等離子清洗機PDMS鍵合小能手！2022/07/07

MC應用｜Harrick等離子清洗機PDMS鍵合小能手！HarrickPlasma→PDMSBonding，時長00:14應用領域聚（二甲基硅氧烷）（PDMS）是基于硅酮的有機聚合物，因其低成本和多功能性而廣泛用于專業(yè)和學術研究實驗室。PDMS是惰性的，透明的，可通過軟光刻輕松定制，該技術用于成型PDMS并將納米級特征和微通道壓印到其表面上。Harrick等離子清洗機可去除有機污染物并激活PDMS表面，以用于與玻璃，PDMS或其他經(jīng)過類似處理的表面進行粘合。PDMS鍵合于微流體設備的開發(fā)中。PD

超逼真20張動圖，秒懂四大電鏡原理2022/07/07

科研圈｜超逼真20張動圖，秒懂四大電鏡原理（SEM,TEM,AFM,STM）！材料的顯微分析能獲得材料的組織結構，揭示材料基本性質和基本規(guī)律，在材料測試技術中占重要的一環(huán)。對各種顯微分析設備諸如SEM、TEM、AFM、STM等，各位材料屆的小伙伴一定不會陌生。最近小編發(fā)現(xiàn)一些電鏡動畫，被驚艷到，原來枯燥無味的電鏡可以變得這么生動，閑言少敘，下面就和大家一起來分享。掃描電子顯微鏡（SEM）掃描電鏡成像是利用細聚焦高能電子束在樣件表面激發(fā)各種物理信號，如二次電子、背散射電子等，通過相應的檢測器來檢測

方案｜光刻膠的顯影和光刻工藝2022/06/21

光刻膠的顯影和光刻工藝今天小編要跟大家簡要介紹關于光刻膠的顯影過程和光刻工藝處理的一些相關內容。光刻工藝可用五個指標來衡量其效果：分辨率、靈敏度、套刻對準精度、缺陷率和硅片加工過程處理問題，其中有3個指標，分辨率、靈敏度和缺陷率是與涂膠顯影的工藝精度有重要。顯影過程是將曝光后的光刻膠中與紫外光發(fā)生化學反應的部分除去或保留下來的過程。顯影的主要過程如下：對準曝光→曝光后烘→顯影→堅膜→顯影檢測。1對準曝光（AlignmentａndExposure）對準曝光階段是光刻工藝的重要階段，使用的掩膜曝光機

MC方案｜MEMS制造中精確測量薄膜厚度的方法研究與比較2022/06/21

目前，MEMS發(fā)展迅速，已廣泛應用于醫(yī)療、軍事、航空、航天、汽車工業(yè)等領域。MEMS種類繁多，如MEMS傳感器、MEMS執(zhí)行器和光MEMS等，而各種薄膜在MEMS制造加工工藝中充當了重要角色。根據(jù)MEMS加工工藝需要，往往需要制作各種不同厚度的薄膜，薄膜厚度對工藝、后成型的器件性質有至關重要的影響。隨著薄膜厚度的變化其性質往往也出現(xiàn)不同，精確測量各種功能薄膜的厚度值在MEMS制造加工領域有非常重要的意義。下面小編來介紹幾種測量薄膜厚度的方法研究和對比：01接觸式表面輪廓儀利用觸針直接同樣品接觸的

折射率液在光纖通信領域的技術應用2022/06/21

背景技術在各類光學有關的檢測中經(jīng)常需要在兩個光學器件之間添加折射率匹配液以消除結合處界面對光學性能帶來的影響。以光通信領域為例，近年我國寬帶接入和光纖到戶的發(fā)展使平面光波導芯片產(chǎn)品的需求量猛增。平面光波導就是在晶圓平面上利用不同物質的光折射率制造出光波傳導通路，并完成過去由多個單一光器件才能實現(xiàn)的特定光通信功能的技術。測試平面光波導芯片時，會將芯片與其他光學器件如光纖、光纖陣列等連接起來，為了避免光在這些連接點位置出現(xiàn)強度、偏振態(tài)變化等光學性質的變化，通常會在這些連接點之間點上折射率匹配液。折射

詳細介紹制樣機的測試原理和操作注意事項2020/11/25

制樣機是指可以制作各種規(guī)格的力學拉伸試樣條，采用全自動CNC數(shù)控系統(tǒng)控制，操作簡便，自動切割樣條，切割精度高，速度快，制作的試樣形狀不受機器限制，只要提供程序，可以制作各種形狀的試樣，條形、啞鈴型、圓形、各種不規(guī)則圖形等；主要用途用于鋁合金、銅等有色金屬材料及橡膠塑料、玻璃鋼、塑料、纖維板、有機玻璃、增強玻璃纖維板、特殊復合等材料，也可以用于材料粉末取樣等作用；通過程序控制器控制三軸聯(lián)動系統(tǒng)，實現(xiàn)金屬或者非金屬板材的樣條切割、啞鈴型試樣切割、沖擊缺口切割功能，并可以將任意形狀的材料進行銑削。用于

如何實現(xiàn)納米級清洗？2020/11/20

具有可控和可調節(jié)表面化學性質的清潔表面對于改善材料的界面，生物和電子性能，以獲得Zjia的設備和結構性能至關重要。等離子體表面處理可去除納米級有機污染物，并在不影響整體材料的情況下改變表面化學性質。等離子清洗的好處等離子體清潔是通過化學反應（O2或空氣等離子體）或物理消融（Ar等離子體）去除有機污染物。等離子體處理還在表面上引入了化學官能團（羰基，羧基，羥基），使大多數(shù)表面具有親水性，水接觸角的減小和潤濕性的提高。清潔且親水的表面通常對于促進附著力和增強與其他表面的粘合至關重要。此外，血漿可用于

MC應用｜TMAH和KOH，誰更適合濕法刻蝕？2020/11/20

硅的各向異性濕法腐蝕是一種常用的制造微機械結構的體硅微加工技術，因為其實現(xiàn)相對容易，成本也相對低廉。而且，在大多數(shù)工藝中不需要消耗電力資源。在這一過程中，其反應為：Si+4H2O-Si(OH)4+2H2氫氧根離子沒有明確出現(xiàn)在反應中，但它十分重要，因為它催化反應并確保Si(OH)4產(chǎn)物在溶液中的溶解度。腐蝕的速率取決于溫度、蝕刻劑組成和表面的晶體學取向關系。值得注意的是，因為這種反應只涉及到化學反應，當半導體的電位被外部電源改變使，它的反應速率卻不受影響。各向異性所有堿性蝕刻劑對硅的腐蝕都是各向