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真空等離子體涂覆薄膜沉積設備

常規沉積涂覆工藝的缺點:


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涂層厚度為毫米量級會影響電子產品的外觀及性能。

  • 大量的化學品消耗,污染嚴重。

  • 毛細效應,導致高密度器件表面無法實現涂層。

  • 樣品處理前仍然需要進行復雜的清洗工藝以確保涂層黏附性。

  • 涂覆有方向性,影響整體防護效果。

  • 涂覆會影響樣品的射頻穿透性及產品的外觀。



真空等離子體涂覆薄膜沉積設備產品特點:

1.13.56MHz射頻電源與自動匹配系統,具備優異的穩定性與可重復性。

2.優化的氣體饋入與分布設計,提供優秀的處理均勻性。

3.可靈活設置的電極及電極的實時可控,滿足功能材料的大面積可控沉積。

4.精準安全的液態源供應系統,滿足不同功能材料的快速大面積沉積。

5.PLC提供穩定的過程控制,設備運行的實時參數通過顯示屏直觀呈現。

6.系統設置多級管理權限,集簡易的操作體驗與嚴謹的工藝管控與一體。



PMC參數:

  • 最大涂覆面積:150mm*150mm

  • 頻率:13.56MHz

  • 功率:0-200W

  • 物料容積:10-150ml

  • 溫控范圍:加熱(室溫~200℃)保溫(室溫~200℃)

  • 流量控制:轉子流量計

  • 管路:最多4路氣體(同時可通入4種物質)

  • 電源電壓:交流220V



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