ALD系統AT410原子層沉積設備提供了用于3D樣品制備的共形導電薄膜解決方案，同時還提供了目前使用濺射/蒸發生長的傳統2D涂層。ALD系統AT410不僅推動了邊界，而且是當前樣品制備過程的有效替代品，所有樣品制備都在可比價格點的臺式配置內。
用于電子顯微鏡的樣品通常受益于添加薄膜。它通常是導電材料，如Pt、Pd或Au。這些導電層有助于抑制充電，減少局部束加熱造成的熱損傷，并改善二次電子信號。傳統上，這些薄膜是使用PVD技術生長的。隨著技術的進步，某些類型的樣品不適用于PVD，因為需要涂層的特征不適用于現場生長線。
研究人員將受益于獲得通過ALD生長的導電薄膜，因為已經開發了一種優化小樣本導電金屬生長的系統。
ALD系統AT410原子層沉積設備特點
適合4''樣品
壓力可控0.1-1.5TORR
滿足小樣品鍍膜需要
7''觸摸屏 PLC控制系統
精密以規定劑量體積給料系統
所有金屬密閉系統
ALD系統AT410原子層沉積設備規格參數
腔體溫度范圍：室溫~325℃± 1 °C
Precursor前體溫度：室溫RT~150 °C ± 2 °C
流線型腔室設計，腔室體積小
快速循環能力（高達1.2nm/min Al2O3）和高曝光、深穿透處理
ALD系統AT410原子層沉積設備可沉積材料
| MATERIAL CLASS | STANDARD RECIPES | RECIPES IN DEVELOPMENT | SYSTEM CAPABLE MATERIALS |
|---|---|---|---|
| Oxides (AxOy) | Al, Si, Ti, Zn, Zr, Hf | V, Y, Ru, In, Sn, Pt | Li, Be, Mg, Ca, Sc, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ga, Sr Nb, Rh, Pd, Sn, Ba, La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd |
| Elementals (A) | Ru, Pd, Pt, Ni, Co | Rh, Os, Ir | Fe, Cu, Mo |
| Nitrides (AxNy) | Zr, Hf, W | Ti, Ta | Cu, Ga, Nb, Mo, In |
| Sulfides (AxSy) | Ca, Ti, Mn, Cu, Zn, Sr, y, Cd, In, Sn, Sb, Ba, La, W | ||
| Other Compounds | AZO (AL:ZnO), AxSiyOz ()A=Al, Zr, Hf | YSZ (yttria stabilized sirconia) ITO | Many others |
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