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等離子刻蝕ICP

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更新時間：2025-06-06 21:00:06

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美國杜邦Dupont: 光刻膠蝕刻殘留物清洗劑 Post-CMP Cleans 光刻膠蝕刻殘留物清洗劑 Post-Etch Cleans 光刻膠蝕刻殘留物清洗劑 LED, TSV, & WLP Cleans 光刻膠蝕刻殘留物清洗劑 Post-Patterning Cleans 光刻膠蝕刻殘留物清洗劑Emerging Cleans

Ethcing/等離子蝕刻系統: 等離子刻蝕ICP

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OAI/美國: Model 32 UV LED 光源 Model 30 準直紫外光源及曝光系統 MCP-T710 電阻儀 MCP-T380通用便攜式電阻率儀 Model 659 紫外線光強與能量計 Model 308 紫外線光度計太陽能電池高性能測試夾具太陽能功率計集成式 IV 光伏測試系統 AML 原位對準晶圓鍵合機 CPV 聚光太陽模擬器 AAA 標準太陽模擬器 Model 6020 全自動掩模曝光機 Model 6000 生產型掩膜曝光機 Model 2000 邊緣去膠紫外泛光曝光機 Model 800E 紫外掩膜曝光機 Model 212 紫外掩膜曝光機 Model 200 紫外掩膜曝光機

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產品簡介詳細介紹

等離子刻蝕ICP廠家提供詳細的適用范圍,能力信息。

　　等離子刻蝕ICP具有預真空室的反應離子刻蝕機

　　等離子刻蝕ICP可適用于單個基片或帶承片盤的基片(3”- 300mm尺寸)，為實驗室和試制線生產環境提供的刻蝕能力。它也具有多尺寸批處理功能(4x3”; 3x4”; 7x2”)。

　　系統有多達七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。該反應室還可以用于去除光刻膠和有機材料。可選配靜電吸盤(E-chuck)，以便更有效地在刻蝕工藝中讓基片保持冷卻。該E-chuck使用氦壓力控制器，及在基片背面保持一個氦冷卻層，從而達到控制基片溫度的作用。

　　可選配一個電感耦合等離子(ICP)源，其使得用戶可以創建高密度等離子，從而提高刻蝕速率和各向異性等刻蝕性能。

　　基片通過預真空室裝入。其避免與工藝室以及任意殘余刻蝕副產品接觸，從而提高了用戶安全性。預真空室還使得工藝室始終保持在真空下，從而隔絕外部濕氣，防止反應室內可能發生的腐蝕。

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