GL8 CLIV Gen2高精度紫外納米壓印光刻設備是天仁微納新型全幅高精度紫外納米壓印設備，標配天仁微納CLIV（Contact Litho in Vacuum）壓印技術，可實現200mm基底面積上高精度（優于10nm ）、高深寬比（優于10比1 ）納米結構復制量產。
GL8 CLIV Gen2 & GL12 CLIV Gen2 2inch/100/150/200mm & 2inch/100/150/200/300mm是天仁微納新型全幅高精度紫外納米壓印設備，可實現200/300mm基底面積上高精度（優于10nm ）、高深寬比（優于10比1 ）納米結構復制量產。
該設備支持自動復制柔性復合工作模具，工作模具具有精度高，壽命長等特點，可以顯著降低大面積納米壓印工藝中模具使用成本。保證了大面積納米壓印過程中結構精度與高深寬比結構的完整填充，同時保證了大面積結構壓印均勻性。
GL8/12 CLIV納米壓印設備適用于DOE、AR/VR衍射光波導（包括斜齒光柵）、生物芯片、LED、微透鏡陣列等應用領域的量產。
GL8 CLIV Gen2高精度紫外納米壓印光刻設備主要功能
● 經過量產驗證的200mm大面積、高精度、高深寬比納米壓印
● CLIV技術，確保壓印結構精度與結構填充完整性
● 設備內自動復制柔性復合工作模具，降低大面積納米壓印模具使用成本
● 自動對位、自動壓印、自動曝光固化、自動脫模，工藝過程無需人工干預
● 標配高功率紫外LED面光源（365nm，光強>1000mW/cm2 ），水冷冷卻，特殊功率以及特殊、混合波長光源可訂制，支持各種商用納米壓印材料
● 標配設備內部潔凈環境與除靜電裝置
● 隨機提供全套納米壓印工藝與材料，包括DOE、AR斜齒光柵、高密度、高深寬比結構等工藝流程，幫助客戶零門檻達到高質量的納米壓印水平
相關參數
| 兼容基底尺寸 | 2inch、100mm、150mm、200mm 特殊尺寸可定制 |
| 支持基底材料 | 硅片、玻璃、石英、塑料、金屬等 |
| 上下片方式 | 手動上下片 |
| 晶圓預對位 | 機械夾持預對位，可選裝光學巡邊預對位 |
| 納米壓印技術 | CLIV技術，適合高精度、高深寬比納米結構壓印 |
| 壓印精度 | 優于10納米* |
| 結構深寬比 | 優于10比1* |
| 殘余層控制 | 可小于10nm* |
| 紫外固化光源 | 紫外LED（365nm）面光源，光強>1000mW/cm2，水冷冷卻（2000mW/cm2類型光源可選配） |
| 設備內部環境控制 | 標配，外部環境class 100，內部環境優于Class 10* |
| 自動壓印 | 支持 |
| 自動脫模 | 支持 |
| 自動工作模具復制 | 支持 |
| 模具基底對位功能 | 自動對位（選配） |
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青島天仁微納科技有限責任公司
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