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這樣的高精密光學鍍膜機還真是好用2022/11/09

高精密光學鍍膜機膜厚可以通過時間精確控制，滿足設計工藝要求，省去了晶控和光控環節，為客戶節省了大量的膜厚儀耗材；可以產生高折射率氮化物薄膜，提高薄膜的硬度；低溫成膜，可用于多種用途；自動調節氣體流量的裝置，保持穩定的靶電壓，保證成膜質量。高精密光學鍍膜機的模塊化設計可與等離子體清洗單元、磁控濺射單元、等離子體增強化學反應單元、原子層沉積單元和等離子體化學反應刻蝕單元組合，擴展為集群式微納加工中心，覆蓋半導體微納結構加工的襯底清洗、薄膜沉積(包括超薄膜)和圖形化刻蝕的全過程。滿足嚴格的薄膜沉積均勻

半導體設備用靜電卡盤都有哪些尺寸？2022/10/12

半導體設備用靜電卡盤有各種形狀、尺寸和材料可供選擇。它們通常是圓形的，比晶圓尺寸稍大。常見的尺寸從直徑50毫米到超過300毫米不等。大多數卡盤有一個圓形（同心）環形真空設計，通常可以容納小管芯、一些晶圓和整個晶圓。例如，150毫米（6英寸）卡盤將有一個真空環形圖案，可以夾住單個芯片、50毫米、75毫米、100毫米和150毫米的晶圓。在半導體和液晶面板制造過程中，真空吸盤和機械吸盤系統經常被用來固定加工用的基材。然而，由于吸附和變形的影響以及提高可靠性的要求，使用靜電的吸盤已被廣泛用于當今一代半晶

橢偏儀根據測試原理的不同可分為這兩種2022/09/14

器件的制造是通過一系列精確控制的加工過程完成的。為了保證每一道工序都能正確進行，每一道工序都有多種測量和監測技術，其中光學測量因其非接觸、無損、無污染的特點而被廣泛應用。光學測量的一個重要內容是薄膜的特性——如厚度和光學特性。目前常用的光學測量技術按其原理可分為光吸收法、干涉監測法、偏振光分析法等。橢偏儀采用偏振光分析法（又稱橢偏法），是通過偏振光在材料表面反射后改變相應的偏振態來測量材料的光學性質。橢偏儀根據測試原理的不同可分為消光型和光度型。一般可分為PCSA消光橢偏儀、旋轉偏振器橢偏儀、相

高純特氣閥門談談特種氣體安全運行管理注意事項2022/08/10

隨著國內半導體和光伏產業的快速發展，對高純氣體尤其是高純特種氣體的需求，對氣體質量的要求也越來越高。大部分特殊氣體具有毒性、易燃易爆、強腐蝕性和強氧化性，如H2Se、SiH4、Cl2和NF3。因此，如何安全、穩定、可靠地儲存和運輸特殊氣體越來越受到企業的關注。下面高純特氣閥門就來談談特種氣體安全運行管理注意事項。1、嚴格按照安全操作規程操作特種氣體系統在投入使用之前，已經將安全設計理念貫穿其中，特種氣體系統的運行和維護都有相應的標準操作規程。特種氣體系統的換瓶、維護等日常操作應由兩人進行，并進行

高溫真空燒結爐正確操作在使用中是很有必要的2022/07/11

高溫真空燒結爐的具體結構和性能：1、需要燒結的燒結爐內膽采用濕釉涂層和一涂一燒工藝。燒結溫度840～880℃，干燥溫度100～150℃，燒結時間約8～10min。燒結爐（含干燥爐）裝機功率850kW（±5%）；爐機、風機能耗約25kW；烘干線備用加熱器功率60kW；2、爐體采用型鋼結構。主要保溫材料為1050級硅酸鋁纖維，高溫區厚度≥340mm；中溫區厚度≥200mm；100k礦棉氈用于低溫地區的隔熱。空氣絕緣層和鋁箔絕緣反射層是專門設計的。爐體表面安裝0.75mm彩色波紋鋼板，美觀耐用；3、安

高溫真空燒結爐的真空泵該怎么維護？2022/06/14

高溫真空燒結爐的真空泵該怎么維護？泵油與真空燒結爐內的真空泵運轉不良，需要通過油窗查明污染程度和粘度，更換泵內的泵油。真空燒結爐更換泵油的周期：每六個月更換一次油并清洗一次。高溫真空燒結爐泵油更換步驟如下：1、打開泵的吸水管，5秒后運行。真空燒結爐內泵內剩余的泵油容易排出。2、先拆下排氣管，再打開油閥，將泵油倒出。3、關閉放油閥，從注油口注入新的真空泵油。4、如果真空燒結爐內泵油污染很嚴重，必須在運行幾分鐘后添加一些新的泵油并清洗干凈。如果清洗不到位，必須清洗幾次。5、更換新泵油后，啟動真空燒結

石墨鍍碳化硅涂層設備主要有哪些產品應用？2022/05/12

石墨鍍碳化硅涂層具有耐高溫、抗氧化、純度高、耐酸堿、耐有機試劑等特點，理化性能穩定。與高純石墨相比，高純石墨在400℃開始發生強烈氧化。即使溫度不高，長期使用也會因氧化而去除粉末，從而附著在工件和工作臺上或污染使用環境。因此，碳化硅包覆石墨基作為一種新型耗材，在MOVCD設備、粉末燒結等工藝中逐漸取代了高純石墨基。石墨鍍碳化硅涂層設備在高溫條件下從特殊氣體中釋放出硅，使硅與碳直接結合，以特定形狀包裹石墨基體，形成SiC保護層。形成的SiC與石墨基體結合牢固，賦予石墨基體特殊的性能，從而使石墨基體

高溫真空燒結爐可適應不同材料的熱壓燒結2022/04/13

隨著科學技術的不斷進步，市場上的真空燒結爐種類繁多，大部分功能都比較*。現在基本可以自動控制溫度，自動化程度非常高，在很大程度上節省了人力和物力。高溫真空燒結爐在一些科研項目中被廣泛使用，真空燒結爐運行時，在真空下注入氫氣，利用化學原理產生高溫進行傳導。高溫真空燒結爐采用石墨作為發熱體或中頻感應加熱，工作溫度可達2400℃～2600℃，廣泛用于在真空或保護氣氛中燒結無機材料（如陶瓷密封件、碳化硅、氧化鋯、氧化鋅、氧化鋁等）和金屬材料（如硬質合金）。還可用于稀土元素及其氧化物的提純和藍寶石的退火。

特種材料靶材為什么這么重要？2022/03/16

靶材和半導體材料可分為晶圓材料和封裝材料。與晶圓制造材料相比，封裝材料的技術壁壘相對較低。晶圓的生產主要涉及七種半導體材料和化學品，其中一種是特種材料靶材。特種材料靶材的技術發展趨勢與下游應用行業薄膜技術的發展趨勢密切相關。隨著薄膜產品或元件在應用行業的技術進步，目標技術也應該發生變化。簡而言之，靶材就是被高速帶電粒子轟擊的靶材。通過更換不同的靶材（如鋁、銅、不銹鋼、鈦??、鎳靶材等）可以獲得不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐合金膜）。按應用領域不同可分為：半導體芯片靶材、平板顯示器靶材、太陽能電池

燒結真空爐使用注意2022/01/21

在粉末冶金的生產過程中，燒結是一道重要工序，而且是所有工序的關鍵工藝。燒結的目的是使多孔的粉末壓坯變為具有一定結構和性能的合金。燒結過程中，合金的變化比較復雜，而正確的燒結I藝是制取質量優良粉末冶金的重要保證，若燒結方法不當，會造成各種難以挽回的損失，以致成為廢品。現階段工藝的進化采用了真空燒結法。因為真空爐可使氣氛穩定不變，還可降低產品生產成本,提高產品質量,所以,在粉末冶金生產中，特別是硬質合金生產中。采用真空燒結的方法，將越來越多的受到重視。燒結真空爐主要用于硬質合金、粉沫冶金行業生產各種

磁控濺射鍍膜技術的發展及應用2021/11/30

近年來，隨著新材料的開發，尤其是薄膜材料的發展和應用，帶動控濺射沉積技術的飛速發展，在科學研究領域和工業生產中有著不可替代的重要作用。本文主要介紹了控濺射沉積鍍膜技術的工藝過程及其發展情況，各種主要磁控濺射鍍術的特點，并介紹磁控濺射技術在各個領域的主要應用。濺射鍍膜過程主要是將欲沉積成薄膜的材料制成靶材，固定在濺射沉積系統的陰極上，待沉積薄膜的基片放在正對靶面的陽極上。濺射系統抽至高真空后充入氬氣等，在陰極和陽極之間加載高壓，陰陽極之間會產生低壓輝光放電。放電產生的等離子體中，氬氣正離子在電場作

這個了解透徹了還怕你不會用高溫真空燒結爐嗎？2021/10/13

高溫真空燒結爐以加熱棒為加熱元件，采用雙層外殼結構和pid30段程序溫控系統，移相觸發器和晶閘管控制，爐膛采用軟硬碳纖維材料，可以快速升高和降低溫度。外殼整體密封，蓋板和爐門采用高溫硅膠O型圈密封，爐門配有水冷系統。爐子必須在真空下燒結。爐膛采用2x-30機械泵（配有電磁放空閥）和K-200油擴散泵，并配有冷阱和機組。該爐具有體積小、溫度場平衡、表面溫度低、升溫降溫速度快、*、節能等優點。1、爐體：高溫真空燒結爐為立式爐殼，內層為不銹鋼制成的圓柱體，外層為碳鋼。兩層之間形成夾套，將通過冷卻水傳遞

想更了解橢偏儀，就要知道它的發展歷程2021/09/15

橢偏儀使用偏振光來測量薄膜或界面參數，通過測量被測樣品反射（或透射）光偏振態的變化，并沒有得到樣品參數，是一種集光、機、電、計算機等多學科于一體的薄膜無損分析智能儀器，主要用于測量光學膜厚和光學常數、多層膜厚和光學常數、碳鍍盤的碳層厚度和光學常數、潤滑層的厚度和表面粗糙度、各種半導體及其氧化物的組成、化合物的組成半導體、梯度膜和透明膜的折射率和厚度等。在早期的消光橢偏儀中，偏光片和偏光片的消光位置是手動控制的，系統的測量時間為幾十分鐘。如果我們需要獲取大量的測量數據，比如多入射角測量，手動控制消

實驗室用低壓化學氣相沉積設備使用注意事項2021/08/17

實驗室用低壓化學氣相沉積設備是通過加熱使氣態化合物在低壓下反應并沉積在基板表面，形成穩定的固體薄膜。由于工作壓力低，氣體分子的平均自由程和擴散系數大，可以采用密集加載，提高生產率，在基板表面獲得均勻性好的薄膜沉積層。LPCVD用于沉積多晶硅、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅和難熔金屬硅化物。廣泛應用于半導體集成電路、電力電子、光電、MEMS等行業。1、溫度控制采用串級控制方式，實時控制實際基板溫度。2、裝載采用碳化硅懸臂槳，避免與工藝管道摩擦產生粉塵。3、反應氣分子供氣和群發供

GaAs/GaN用快速退火爐使用注意細節2021/07/16

GaAs/GaN用快速退火爐的產品特點：1、控制電路采用模糊PID程序控制技術，控溫精度高，熱慣性小，無溫度沖擊，性能可靠，操作簡單。2、中真空系統具有真空度上下限自動控制功能。高真空系統采用高壓耐沖擊分子泵，防止意外漏氣損壞分子泵，延長系統使用壽命。GaAs/GaN用快速退火爐使用細節：1、爐子使用或長期不用后，應120℃烘烤1小時，300℃烘烤2小時，以免爐裂。2、爐溫盡量不要超過額定溫度，以免損壞加熱元件和爐襯。3、嚴禁將各種液體和溶解金屬直接倒入爐內，保持爐內清潔。4、如果在爐內使用石英

淺析高溫真空燒結爐結構都有哪些改進？2021/06/09

高溫真空燒結爐是在真空環境下對被加熱物體進行保護性燒結的爐子。加熱方式有多種，如電阻加熱、感應加熱、微波加熱等。真空感應爐是一種利用感應加熱來保護被加熱物體的爐子，可分為工頻、中頻、高頻等類型，又可歸為真空燒結爐的一個子類。真空感應燒結爐是利用中頻感應加熱原理在真空或保護氣氛條件下燒結硬質合金刀頭和各種金屬粉末壓塊的成套設備，是硬質合金、金屬鏑、陶瓷材料的成套設備。真空感應鎢燒結爐是利用中頻感應加熱原理，在抽真空后的氫氣保護狀態下，在線圈內的鎢坩堝內產生高溫，通過熱輻射將熱量傳導到工件上。其主要

實驗室用快速退火爐實現真正的極速升溫和降溫！2021/05/18

實驗室用快速退火爐是在管式爐的基礎上開發的，它不僅具有更快的500℃/S的升溫速率，而且在冷卻速率上達到100℃/S的質的飛躍。它巧妙地使用了冷壁技術，從而達到了如此快的冷卻速度，真正實現了快速加熱和快速冷卻！實驗室用快速退火爐的腔室采用*的雙層石英管結構，外管用于進氣，內管用于排氣，從而使反應氣氛與被處理物充分均勻地接觸。樣本。加熱燈管可以使硅芯片快速加熱的原因是，光源的波長在0.3-4微米之間，石英管壁無法有效吸收該波段的輻射，而晶片只是對面的。因此，晶片可以吸收輻射能并迅速加熱，而此時石英

高純特氣閥門的使用竟然還有這些門道2021/04/15

高純度氣體管道系統的質量將直接影響高純度氣體的純度，清潔度和干燥度。因此，嚴格控制高純度氣體輸送系統的設計，材料選擇，加工制造，清潔處理以及安裝和使用中的每個環節都具有重要意義。下面我們就來介紹一下高純特氣閥門。高純度氣體對系統中使用的閥門的密封性有非常嚴格的要求。目前，高純特氣閥門基本由SS304或SS316L不銹鋼制成。閥門類型包括隔膜閥，波紋管閥和球閥。波紋管閥的密封性好于球閥的密封性。氣體流經閥門時，沒有與外部環境接觸的填料，因此沒有泄漏。除了隔膜閥的密封性外，它還具有很小的閥體死體積。

如何延長高溫真空燒結爐的使用期限？2021/03/23

如何延長高溫真空燒結爐的使用壽命？1、適當的環境濕度實驗電爐和控制器的相對濕度不得超過85％，且不得有導電性的浮塵，爆炸性氣體和腐蝕性刺激物，以免破壞金屬絕緣和電子部件。碳化硅棒應放置在干燥的地方，以防止鋁頭吸收水分并發生變化。在施工過程中，如果發現某些桿呈白色，而有些桿呈深紅色，則表明每個桿的電阻都不同，因此有必要在重新施加之前用相似的電阻值更換該桿。2、合適的溫度高溫真空燒結爐的運行與工作溫度有很大關系。控制器的工作環境溫度限制在0-50℃，不能太高或太低。3、確保設備連接正確在實驗電爐的運

實驗室用快速退火爐可提供準確和可重復的熱控制2021/03/09

實驗室用快速退火爐基于SolarisGUI的PID處理控制器，可以存儲程序，每個程序多可以支持100個設置步驟，并帶有USB2.0接口。包含與MicrosoftWindows操作系統兼容的SolarisGUI軟件。使用此軟件，可以通過鏈接到計算機輕松地實現程序編輯和數據記錄。實驗室用快速退火爐可以滿足大學，研究實驗室和小規模生產的需求，它是高度可靠且具有成本效益的。處理腔室采用殼狀設計，可以*進入底板，便于基板的裝卸，并可以對腔體進行實際清潔。快速的數字PID溫度控制器可在整個溫度范圍內提供準確